A thyristor (SCR) is a:

একটি থাইরিস্টর (Thyristor) বা সিলিকন কন্ট্রোল্ড রেকটিফায়ার (SCR) হলো একটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা সাধারণত পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স সার্কিটে ব্যবহৃত হয় উচ্চ ক্ষমতা নিয়ন্ত্রণ (high power control) এবং সুইচিং (switching) অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য। এর গঠনগত দিক থেকে এটি চারটি সেমিকন্ডাক্টর স্তর নিয়ে গঠিত, যা পর্যায়ক্রমে P-টাইপ এবং N-টাইপ পদার্থের সমন্বয়ে গঠিত হয়।

এর স্তরগুলো হলো: P-N-P-N।

    
• প্রথম P-স্তরটি অ্যানোড (Anode) টার্মিনালের সাথে সংযুক্ত থাকে।
    
• শেষ N-স্তরটি ক্যাথোড (Cathode) টার্মিনালের সাথে সংযুক্ত থাকে।
    
• ভিতরের P-স্তরটি গেট (Gate) টার্মিনালের সাথে সংযুক্ত থাকে, যা SCR-এর ট্রিগারিং (triggering) নিয়ন্ত্রণ করে।

এই P-N-P-N কাঠামোতে তিনটি PN জংশন (J1, J2, J3) থাকে, যা ডিভাইসটিকে একটি ল্যাচিং সুইচ (latching switch) হিসাবে কাজ করতে সক্ষম করে। এটি একবার চালু হলে গেট সিগন্যাল ছাড়াই চালু অবস্থায় থাকে যতক্ষণ না অ্যানোড কারেন্ট একটি নির্দিষ্ট হোল্ডিং কারেন্ট (holding current) এর নিচে নেমে আসে বা ফরওয়ার্ড ভোল্টেজ সরিয়ে নেওয়া হয়।

অন্যান্য অপশনগুলি সঠিক নয় কারণ:

    
• PNP ডিভাইস: এটি একটি বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টর (BJT) যা তিনটি স্তর (P-N-P) এবং দুটি জংশন নিয়ে গঠিত।
    
• NPN ডিভাইস: এটিও একটি বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টর (BJT) যা তিনটি স্তর (N-P-N) এবং দুটি জংশন নিয়ে গঠিত।
    
• PN ডিভাইস: এটি একটি সাধারণ ডায়োড (diode) যা দুটি স্তর (P-N) এবং একটি জংশন নিয়ে গঠিত।

অতএব, থাইরিস্টর (SCR) হলো একটি PNPN ডিভাইস।